企业简介
溧阳市东大技术转移中心有限公司 main business:技术转移，科技成果转化，学术交流活动策划，国际技术合作，新产品开发及工艺研究，检测实验，科技咨询、项目服务，专利申请服务，企业管理培训。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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溧阳市东大技术转移中心有限公司的工商信息
- 913204810602267306
- 913204810602267306
- 在业
- 有限责任公司（法人独资）
- 2012-12-24
- 梅欣
- 30万元人民币
- 2012-12-24 至 永久
- 溧阳市市场监督管理局
- 溧阳市溧城镇东门大街67号
- 技术转移，科技成果转化，学术交流活动策划，国际技术合作，新产品开发及工艺研究，检测实验，科技咨询、项目服务，专利申请服务，企业管理培训。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
溧阳市东大技术转移中心有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103631091B | 感光固化树脂组合物的制备方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种感光固化树脂组合物的制备方法，依次包括步骤：（1）称取预定量的组分，按照重量百分比计 |
| 2 | CN103594543B | 一种光伏电池 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、 |
| 3 | CN103594597B | 一种发光器件上的叠层电极 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种发光器件上的叠层电极，其特征在于，所述叠层电极包括：反射层、阻挡层、聚结抑制层以及氧 |
| 4 | CN103606605B | 一种平台型发光二极管 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种平台型发光二极管，所述发光二极管具有衬底；在衬底表面上具有半球形的第一底透明导电层， |
| 5 | CN103594930B | 一种n型衬底激光二极管的制造方法 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种n型衬底激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底；（2）在衬底 |
| 6 | CN103594375B | 一种MOS器件的掺杂方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种MOS器件的掺杂方法，所述方法包括两个步骤：步骤一，在硅片上利用离子注入预掺杂；步骤 |
| 7 | CN103607845B | 一种柔性印刷电路板的制造方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种多层柔性印刷电路板的制造方法，依次包括以下步骤：（1）制作第一柔性印刷电路板；（2） |
| 8 | CN103617948B | 一种MOS器件的掺杂方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种MOS器件的掺杂方法，所述方法依次包括如下步骤：步骤一，将硅片置入扩散炉中进行第一次 |
| 9 | CN103762304B | 包括Sc2O3应力缓冲体的压电元件 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种压电元件，其包括层叠体和内部电极，所述层叠体具有：在第1电极和所述第2电极在所述层叠 |
| 10 | CN103606647B | 一种碳纳米管键合磷酸铁锂电极材料 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种碳纳米管键合磷酸铁锂电极材料，以磷酸铁锂混合物粉体为载体，通过化学键合方式键合1wt |
| 11 | CN103606601B | 一种台阶型发光二极管的制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层 |
| 12 | CN103594926B | 一种p型衬底激光二极管的制造方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底；（2）在衬底上依次形 |
| 13 | CN103606609B | 一种发光二极管电极的制造方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了发光二极管电极的制造方法，依次包括如下步骤：（1）自下而上依次形成p型半导体层、半导体发 |
| 14 | CN103616800B | 感光固化树脂组合物 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种感光固化树脂组合物，按照重量百分比计，由如下组分组成：第一预聚体：20‑40%；第二 |
| 15 | CN103594575B | 一种双叠层电极的发光器件 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种双叠层电极发光器件，其特征在于：所述发光器件具有蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次具有低 |
| 16 | CN103594586B | 一种具有粗化表面的电极结构的制造方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种具有粗化表面的电极结构的制造方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：（1）形成底 |
| 17 | CN103594576B | 一种发光器件 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种发光器件，所述发光器件自下往上依次为底电极、蓝宝石衬底、低温缓冲层、n型掺杂层、多量 |
| 18 | CN103607855B | 一种复合挠性基板的制造方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种复合挠性基板，具有如下的结构：复合挠性基板包括第一挠性基板和第二挠性基板，所述第一挠 |
| 19 | CN103594567B | 一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）形成底电极；（2）在 |
| 20 | CN103606612B | 一种发光二极管的电极结构 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种发光二极管电极结构，所述发光二极管电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分电极 |
| 21 | CN103606576B | 一种太阳能电池 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种太阳能电池，具有以下结构：具有衬底，在衬底上依次具有第一过渡金属层，粗化金属层、p型 |
| 22 | CN103594928B | 一种p型外延衬底激光二极管 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种p型外延衬底激光二极管，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有p-GaN外延衬底，在p- |
| 23 | CN103606590B | 一种太阳能电池的制造方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（ |
| 24 | CN103594925B | 一种p型衬底激光二极管 | 2016.05.11 | 本发明公开了一种p型衬底激光二极管，包括p-GaN衬底，其中，p-GaN衬底下具有p电极；在p-Ga |
| 25 | CN103594656B | 一种有机发光二极管 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管自下而上依次包括如下结构：衬底、阳电极、空穴注入层 |
| 26 | CN103606610B | 一种发光二极管的电极结构 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种发光二极管的电极结构，该电极结构包括底部平坦电极，在该底部平坦电极上具有：第一金属电 |
| 27 | CN103606611B | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种垂直型发光二极管，所述发光二极管具有底电极，在底电极上具有半球形的第一底透明导电层， |
| 28 | CN103594582B | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种垂直型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在底电极上依次形成第一底透明导电 |
| 29 | CN103589973B | 一种镁基非晶合金复合材料 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种镁基非晶合金复合材料，按重量百分比计，包含如下成分：70～83％的Mg，1～3％的T |
| 30 | CN103606390B | 无铅银导体浆料 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种无铅银导体浆料，其特征在于：所述无铅银导电浆料包括：银粉、无铅玻璃粉、有机粘合剂以及 |
| 31 | CN103606607B | 一种具有粗化表面的电极结构 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种具有粗化表面的电极结构，该电极结构包括底部平坦电极，在该底部平坦电极上具有：第一金属 |
| 32 | CN103617945B | 一种集成电路芯片电极的修复方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种集成电路芯片电极的修复方法，依次包括步骤：（1）去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护 |
| 33 | CN103594655B | 一种有机发光二极管的阳电极 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种有机发光二极管（OLED）的阳电极，所述阳电极为ITO阳电极，其由第一ITO层以及位 |
| 34 | CN103606606B | 形成电极键合结构的方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种形成电极键合结构的方法，依次包括如下步骤：（1）在发光二极管上形成平坦电极；（2）在 |
| 35 | CN103594350B | 一种减小界面层生长的方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种减小界面层生长的方法，依次包括如下步骤：（1）在硅衬底上生长SiO<sub>2</s |
| 36 | CN103589936B | 一种铁基非晶合金的制备方法 | 2016.04.06 | 本发明公开了一种铁基非晶态合金的制备方法，本发明制备方法通过将Fe：89.6-92.4kg，Cr：0 |
| 37 | CN103594581B | 一种平台型发光二极管的制造方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层 |
| 38 | CN103594927B | 一种n型衬底激光二极管 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种n型衬底激光二极管，包括p-GaN衬底，其中，p-GaN衬底下具有p电极；在p-Ga |
| 39 | CN103594596B | 一种叠层电极的制备方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种发光器件上的叠层电极的制备方法，依次包括如下步骤：（1）在半导体发光单元的表面蒸镀反 |
| 40 | CN103594587B | 一种发光二极管打线电极的制造方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种发光二极管打线电极的制造方法，依次包括如下步骤：（1）自下而上依次形成p型半导体层、 |
| 41 | CN103602966B | 非晶氧化锌/钛/磷复合材料的制造方法 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种非晶氧化锌/钛/磷复合材料的制造方法，依次包括如下步骤：（1）准备纯钛板，将纯钛板清 |
| 42 | CN103589959B | 一种铁基非晶合金材料 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种铁基非晶态合金材料，以重量百分比计，包括以下成分：Fe：89.6-92.4，Cr：0 |
| 43 | CN103594661B | 一种有机发光二极管阳电极的制备方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种有机发光二极管（OLED）的阳电极的制备方法。所述方法依次包括如下步骤：（1）在水蒸 |
| 44 | CN103606419B | 无铅银导体浆料的制备方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种无铅银导体浆料的制备方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）制备无铅玻璃粉；（2）制备 |
| 45 | CN103594588B | 一种发光二极管打线电极 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种发光二极管打线电极，所述发光二极管打线电极为正方形电极，其分为上下两部分，其中下部分 |
| 46 | CN103594921B | 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n- |
| 47 | CN103594922B | 一种p型外延衬底激光二极管的制造方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种p型外延衬底激光二极管的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延 |
| 48 | CN103594929B | 一种n型外延衬底激光二极管 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有n-GaN外延衬底，在n- |
| 49 | CN103594552B | 一种光伏电池的制造方法 | 2015.09.23 | 本发明公开了一种光伏电池的制造方法，依次包括如下步骤：（1）提供基板；（2）在基板上依次形成第一透明 |
| 50 | CN103762305A | 包括La2O3应力缓冲体的压电元件的制造方法 | 2014.04.30 | 本发明公开了一种压电元件的制造方法，包括如下步骤：以PZT作为主要成分浆料印刷形成坯片；将电极图案用 |
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